memoria flash 3D

Una flash, con la più alta densità di memoria finora mai sviluppata, è stata realizzata dalla Micron Technology, un'azienda dell'Idaho che ha centri di ricerca in Italia, ad Avezzano e Padova, in collaborazione con Intel, il colosso dei microprocessori. Grazie alla tecnologia NAND 3D, progettata nel nostro Paese da ingegneri italiani, sarà possibile ottenere memorie ad elevata densità, in grado di contenere 348 gigabit sui singoli chip che, assemblati poi in strati a due o tre livelli, consentono di realizzare dischi a stato solido con una capacità complessiva di 10 Terabyte e grandi quanto un chewing gum.
La memoria flash 3D rivoluzionerà il mondo dell'informatica e relegherà alla pensione gli hard disk tradizionali attualmente utilizzati come memoria di massa, apportando rispetto a questi ultimi notevoli vantaggi relativi alle dimensioni, al consumo di energia, alla velocità ed alla robustezza, e risultando quindi adatta soprattutto all'utilizzo nei notebook ultraleggeri e nei dispositivi mobili.
La nuova tecnologia NAND 3D posiziona le celle flash in 32 strati verticali per ottenere un die (la sottile piastrina di materiale semiconduttore sulla quale è stato realizzato il circuito integrato) Multi Level Cell da 256 gigabit e oppure un die Triple Level Cell da 384 gigabit che rientrano in un package standard. Queste capacità rendono possibili unità Solid State Disk con oltre 3,5 Terabyte di storage e unità Solid State Disk standard da 2,5 pollici superiori a 10 Terabyte.
La versione Multi Level Cell da 256 gigabit della NAND 3D è già in fase di campionamento, mentre il campionamento della versione Triple Level Cell da 384 gigabit inizierà nelle prossime settimane. La linea di produzione è già nelle fasi iniziali ed entrambi i dispositivi entreranno in piena produzione entro il quarto trimestre di quest'anno.
Per dare supporto alla produzione di queste memorie 3D, Micron ha iniziato la costruzione di uno stabilimento a Singapore con un investimento di 4 miliardi di dollari.